Samsung acelera desenvolvimento de HBM4E para competir com SK Hynix

A Samsung acaba de acelerar seu desenvolvimento de memória HBM4E, prometendo uma largura de banda extraordinária de 3,25 TB/s – mais de 2,5 vezes superior à atual HBM3E. O anúncio, feito durante o Open Compute Project Global Summit 2025, marca um novo capítulo na guerra dos semicondutores voltados para inteligência artificial.

O salto quântico da memória de alta performance

A nova geração HBM4E da Samsung operará com velocidades de pelo menos 13 Gbps por pino, utilizando uma interface de 2.048 pinos de I/O. Esse salto representa uma evolução dramática: enquanto a especificação padrão JEDEC para HBM4 estabelece 8 Gbps por pino, a Samsung já mira além dos 13 Gbps solicitados pela NVIDIA.

Para colocar em perspectiva, a HBM3E atual oferece cerca de 1,3 TB/s de largura de banda por stack. A HBM4E praticamente triplicará essa capacidade, criando um gargalo muito menor entre processamento e acesso aos dados – crucial para modelos de IA cada vez mais complexos.

Eficiência energética dobrada

Além da performance bruta, a Samsung promete dobrar a eficiência energética da HBM4E. A atual HBM3E consome aproximadamente 3,9 picojoules por bit (pJ/bit), e a próxima geração deve cortar esse número pela metade.

Essa melhoria não é apenas um número no papel. Em data centers de IA, onde milhares de GPUs operam simultaneamente, a redução no consumo energético se traduce em economia milhonária e menor pegada ambiental – aspectos cruciais num momento em que a sustentabilidade dos centros de processamento está sob escrutínio global.

Cronograma e implicações competitivas

A produção em massa está prevista para 2027, mas a Samsung demonstra urgência estratégica. Desde janeiro de 2025, a empresa elevou suas metas de performance de 10 Gbps para 13 Gbps por pino – um aumento de 30% motivado diretamente por demandas da NVIDIA.

Essa pressão não é casual. A NVIDIA está desenvolvendo sua arquitetura Vera Rubin para 2026, que exigirá memória HBM4 de altíssima performance. Quem chegar primeiro no mercado com especificações superiores conquistará contratos bilionários com gigantes como Microsoft, Meta e Google.

O contexto da guerra dos semicondutores

A corrida HBM4E exemplifica a intensificação da competição entre Samsung, SK Hynix e Micron. Cada fabricante está acelerando cronogramas e investindo pesadamente em R&D para atender à demanda explosiva por memória especializada em IA.

A SK Hynix, líder atual do mercado HBM, também está desenvolvendo HBM4E com tecnologia de hybrid bonding. A Micron, por sua vez, já entregou amostras de HBM4 de 11 Gbps. O mercado de memória HBM deve superar US$ 100 bilhões até 2030.