Impressionante: Pesquisadores chineses criam nova memória flash que grava dados em 0,4 nanossegundo
Impressionante: Pesquisadores chineses criam nova memória flash que grava dados em 0,4 nanossegundo Pesquisadores da Universidade Fudan, em Xangai, criaram um novo tipo de memória não volátil capaz de operar em velocidades nunca antes vistas. Batizada de PoX (Phase-change Oxide), essa nova tecnologia alcança tempos de escrita na casa dos 400 picosegundos, o que equivale […]
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