Impressionante: Pesquisadores chineses criam nova memória flash que grava dados em 0,4 nanossegundo

Pesquisadores da Universidade Fudan, em Xangai, criaram um novo tipo de memória não volátil capaz de operar em velocidades nunca antes vistas. Batizada de PoX (Phase-change Oxide), essa nova tecnologia alcança tempos de escrita na casa dos 400 picosegundos, o que equivale a 0,4 nanossegundo – quebrando todos os recordes conhecidos até agora.

Esse salto de desempenho coloca a PoX muito à frente das memórias tradicionais, superando com folga o limite de cerca de 2 milhões de operações por segundo que era considerado topo de linha nas soluções não voláteis.

Velocidade sempre foi o gargalo

O desempenho das memórias sempre foi um dos maiores obstáculos no avanço da computação. Tecnologias como SRAM e DRAM são rápidas (entre 1 e 10 nanossegundos), mas sofrem de um problema crítico: são voláteis – ou seja, perdem todos os dados quando a energia é cortada.

Já as memórias flash, usadas em SSDs e pendrives, guardam os dados mesmo sem energia, mas são muito mais lentas, operando em microsegundos ou até milissegundos. Esse “empate técnico” entre velocidade e persistência de dados tem limitado aplicações de ponta, como os sistemas modernos de inteligência artificial, que precisam mover grandes volumes de dados em tempo real.

PoX une o melhor dos dois mundos

O grande diferencial da nova memória PoX é justamente sua capacidade de combinar velocidade extrema com persistência de dados. Ou seja, ela mantém a característica de não volatilidade, mas opera com uma rapidez que antes só era possível em memórias voláteis. Isso pode eliminar gargalos críticos nos sistemas de IA, onde boa parte da energia ainda é gasta no deslocamento de dados – não na sua análise.

Um novo material para revolucionar a memória

Para alcançar esse feito, o time liderado pelo professor Zhou Peng abandonou o silício tradicional e apostou no grafeno bidimensional de Dirac. Esse material permite que elétrons se movimentem com extrema liberdade, facilitando operações em altíssima velocidade.

Além disso, os cientistas conseguiram controlar com precisão a geometria do canal de memória, criando um fenômeno conhecido como “superinjeção 2D”. Esse processo permite o fluxo rápido e quase ilimitado de cargas no dispositivo, superando os limites que travavam as memórias flash convencionais.

Inteligência artificial ajudou a criar a nova memória

Um dos pontos mais interessantes do projeto é que os próprios algoritmos de IA foram usados para otimizar o desenvolvimento da memória PoX. A inteligência artificial ajudou a ajustar variáveis do processo de fabricação, acelerando os testes e refinando o design do chip.

“Conseguimos avançar muito mais rápido com a ajuda da IA”, explicou Zhou em entrevista à agência Xinhua.

Chip já funciona e pode chegar ao mercado em breve

Segundo Liu Chunsen, pesquisador do Laboratório de Sistemas e Chips Integrados da Universidade de Fudan, o protótipo da memória PoX já foi testado com sucesso em um chip funcional em pequena escala. O próximo passo é adaptar essa tecnologia para dispositivos do dia a dia, como smartphones e computadores.

Isso abriria caminho para rodar modelos de IA diretamente nos aparelhos, sem os problemas de aquecimento e lentidão causados pelas memórias atuais.

Um impacto que vai além dos laboratórios

Com a IA se espalhando por setores como saúde, transporte, finanças e entretenimento, a chegada de uma memória ultrarrápida, não volátil e de baixo consumo pode ser a peça que faltava para impulsionar uma nova geração de tecnologias.

Se o ritmo de desenvolvimento continuar, a memória PoX tem tudo para sair dos laboratórios e transformar a forma como lidamos com dados – do usuário comum às aplicações mais avançadas.